این مقاله یکی از موضوعات جدید و بروز در ضمینه فین فت 10 نانومتر می باشد و مناسب همه دوره ها:کارشناسی،ارشد،دکتری برق می باشد.ترجمه بصورت کاملا روان بوده و اصلا ترجمه ماشینی در آن استفاده نشده.تمامی شکل ها و جداول بصورت مرتب و طبق ترتیب مقاله اصلی بوده و می تواند موضوع مقالات دروس مختلف دانشگاهی باشد.این مقاله از سایت معروف و شناخته شده IEEE می باشد.که معمولا تمامی اساتید با این سایت آشنا هستند.
تعداد صفحات مقاله اصلی هر صفحه دو ستون و با فونت ریز:4 صفحه
تعداد صفحات ترجمه:12 صفحه
فایل ها در قالب فرمت pdf می باشند.
عنوان لاتین مقاله:Study of Impact of BTI’s Local Layout Effect Including Recovery Effect on Various Standard-Cells in 10nm FinFET
عنوان فارسی مقاله:بررسی تاثیر طرح چیدمان محلی BTI شامل تاثیر بهبودی بر روی سلول های استاندارد مختلف در فین فت 10 نانومتر
برای استفاده از برنامه acrobat reader یا pdf reader ویندوز نیاز می باشد.
pdf
قیمت: 60٬000 تومان
قیمت: 65٬000 تومان
قیمت: 60٬000 تومان
قیمت: 55٬000 تومان
قیمت: 60٬000 تومان
قیمت: 75٬000 تومان
قیمت: 50٬000 تومان
